产品中心
CST6307
在系统不需要驱动电机时，CST6307可以进入低功耗休眠模式。
CST6307可以提供用于UVLO和过热保护的内部关断功能。
CST6307是款有刷直流电机驱动器。两个逻辑输入控制H桥驱动器，该驱动器由四个N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）组成，能够以高达3.6A的峰值电流双向控制电机。利用电流衰减模式，可以通过对输入进行脉宽调制（PWM）来控制电机转速。如果将这两个输入置为低电平，则电机驱动器将进入低功耗休眠模式。
CST6307是一款针对有刷直流的马达驱动，可以工作在6.5V到25V，提供最高3.6A的峰值电流。CST6307集成了电流调制电路，根据VREF和外接到ISEN的电阻，设定工作电流。一个简单的PWM接口可以实现和控制器的连接和控制。
在系统不需要驱动电机时，CST6307可以进入低功耗休眠模式。
CST6307可以提供用于UVLO和过热保护的内部关断功能。
CST6307是款有刷直流电机驱动器，适用于大电流玩具，机器人，打印机，POS机，电器以及其他小型机器。两个逻辑输入控制H桥驱动器，该驱动器由四个N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）组成，能够以高达3.6A的峰值电流双向控制电机。利用电流衰减模式，可以通过对输入进行脉宽调制（PWM）来控制电机转速。如果将这两个输入置为低电平，则电机驱动器将进入低功耗休眠模式。
CST6307具有集成电流调节功能，该功能基于模拟输入VREF以及ISEN引脚的电压（与流经外部感测电阻的电机电流成正比）。该器件能够将电流限制在某一水平值，可以显著降低系统功耗要求，并且无需大容量电容来维持稳定电压，尤其是电机启动和停转时。
CST6307集成各项保护功能，可以在出现故障时实现内部关断功能，提供欠压锁定和过热保护。另外，还提供了一种低功耗休眠模式。
CST6307提供带散热片的e-SOP8封装。
CST6307特性:
带电流控制的单通道H桥电机驱动器
带电流控制的单通道H桥电机驱动器
驱动一个直流电机、一个步进电机绕组或其他负载
工作电压范围：6.5V-25V
低导通电阻：高侧+低侧（HS+LS=560mΩ）??
3.6A的峰值电流驱动能力
脉宽调制（PWM）控制接口
集成保护特性
- VM欠压闭锁（UVLO）
- 热关断（TSD）
自动故障恢复
集成电流调节功能
低功耗休眠模式
提供带散热片的e-SOP8封装。
CST6307应用:
大电流玩具，机器人，打印机，POS机，其他机电一体化应用等
CST6307订购信息:
CST6307应用电路：
CST6307引脚示意图及引脚说明：
CST6307桥接控制和衰减模式
输出管脚AOUTx和BOUTx状态是由输入管脚AINx和BINx来进行控制，下面图表（H桥控制逻辑表）列出了输入对应输出状态说明：
CST6307通过输出入逻辑信号（IN1 IN2）使用PWM方式来控制电机调速功能。当打开高侧的MOSFET时，电机绕组的感应电流会持续上升，如果关闭高侧的MOSFET时，绕组的感应电流会产生续流电流。为合理处理电机线圈的电流，H桥有两种不同的工作状态模式，快速衰减和慢速衰减，在快衰减模式下，CST6307内部H桥关断，续流电流流向体二极管，在慢衰减模式中，电机的电流会在两个低侧MOSFET之间循环。
快速衰减模式下，从外部输入PWM调制信号时，PWM信号在一边的IN1输入，另外一边为低；而在慢速衰减模式下，一边的IN2输入，另外一边需要为高，如表（PWM控制马达驱动逻辑表）所示。
当PWM输入到IN1时，内部电流控制仍然是打开状态，ISEN脚位直接连接到GND时，可以关闭电流控制。图（驱动和衰减模式）说明了电流在不同驱动下的衰减模式。
CST6307电流控制
CST6307通过模拟输入管脚VREF和外接ISEN的电阻，按照下面公式计算来限制电流值：
例如，如果VREF=3.3V并且RISEN=0.15Ω，CST6307不管在什么样的负载情况下都会限制电机驱动到2.2A的电流。
当到达ITRIP电平时，器件通过打开底边的两个FETs，来强制电流衰减，并且会关闭tOFF（典型值25uS）。
一旦tOFF时间到，输入会重新使能，根据两个输入的状态进行工作。驱动时间tDRVIE到达ITRIP的时间和VM电压、驱动电感等因素有关。
CST6307 nSLEEP休眠模式控制
当IN1和IN2同时为低持续tSLEEP（典型值1mS），CST6307将进入低功耗模式，当IN1或IN2为高至少5uS，器件才会在tON（典型值50uS）后进入工作状态。
CST6307保护电路 CST6307包含了过流保护（OCP）、过温保护（TSD）和欠压保护UVLO。
过流保护（OCP）高侧和低侧MOSFETs均会独立检测过流情况，也就是说，接地短路、电源短路或电机绕组两端短路都将导致过电流关断。过电流保护不使用用于PWM电流控制的电流检测电路，因此即使没有ISEN电阻，也能正常工作。
过温保护（TSD） 如果芯片温度超过安全阈值，H桥中的所有MOSFETs都将被禁用，一旦温度恢复下降到安全设置水平，操作将自动恢复。
欠压保护（ULVO） 如驱动和衰减模式表.所示，如果VM电压在任何时候低于欠压锁定阈值电压，则芯片被禁用，所有内部逻辑将被复位。当VM上升到UVLO以上时，操作将恢复。
CST6307 电源选择指南
在电机驱动系统设计中，适当大容量电容配置是重要因素。一般电容越大越有利于系统的安全和稳定，而缺点是成本和物理尺寸的增加。电容的取值有多种因素决定，包括：
电机系统所需的最大电流
电容提供电流的能力
电源和电机系统之间的寄生电感量
可接受的电压纹波
使用的电机类型（有刷、无刷和步进）
电机制动方式
如图所示，电源和电动机驱动系统之间的电感限制了电流从电源获得的速率。如果本地大容量电容太�。蛳低吃谙煊旌凸嗟缌鞅浠保岬贾碌缪沟慕档�。当使用足够大的电容时，电动机电压才能保持稳定，从而快速提供大电流。数据表通常提供一个推荐值，但是需要整个系统级测试才能确定合适的电容。
大容量电容器的额定电压应高于工作电压，留出一定裕量来防止出现电动机将能量反过来传递到电源的情况发生，从而避免损坏。
CST6307极根工作参数：
CST6307工作条件：
CST6307功能框图:
CST6307 Esop8封装信息:
请提交您的基本信息，发邮件Sales@ChipSourceTek.com,或者打电话给我们,13823761625(微信同号),我们将会尽快与您联系！
关注云顶贵宾会公众号
云顶贵宾会微信客服
发送邮件
商务QQ客服
13823761625
