ME2170概述：
ME2170是一款由基准电压源、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路等构成的CMOS升压型DC/DC LED驱动。
由于内置了低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET，因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。
另外，可通过在VSENSE端子连接电流检测电阻 (RSENSE) 来限制输出电流。由于将电流检测电压(VSENSE)设定为107mV，因此可减少在R SENSE 端产生的损耗。
ME2170外围的输出电容可使用陶瓷电容器。并且，采用了SOP8封装，散热性好，可适用于高密度安装高精度高效率的应用。
ME2170特性：
可自由设置恒流大�。喝绲鄙瓒� R SENSE =143mΩ时，恒流值是 750mA。
输入范围：2.5~6V
带载输出：2 串(≤9W)LED, 3 串(≤9W)LED
设置 V OUT =12V 时，推荐 Vin 不低于 3.1V
工作频率：1.0MHz
基准电压：1.25V
消耗电流低 : 静止时 60 µA (典型值)
软启动时间: 2 ms（典型值）
UVLO (欠压锁定) 功能：VDD<2.3V
外接元器件 : 电感器、二极管、电容器、电阻
ME2170应用：
2串(≤9W)LED灯
3串(≤9W)LED灯
ME2170典型应用图：
ME2170选型指南：
| 产品型号 | 产品说明 |
| ME2170ASG | 内置 MOS，封装形式：SOP8 |
ME217产品引脚图：
ME2170脚位功能说明：
ME2170功功能示意图：
ME2170工作原理：
ME2170是升压型DC-DC控制器。芯片开始上电以后，若输入电压较低，则芯片进入欠压锁定保护状态；当VDD电压大于 2.4V 以后，芯片脱离欠压锁定状态并使能芯片的使能控制端，然后芯片开始正常工作。芯片内部有软起动电路，时间为 2ms。经过 2ms 以后，内部振荡器开始工作。升压型DC-DC控制器在增强型N沟道功率MOSFET为ON 时，可通过输入电压 (VIN) 开始供应电流，与此同时，将能量累积到电感器中。随后，增强型 N 沟道功率 MOSFET 为 OFF 时，会释放出累积在电感器中的电流，因此 CONT 端子电压被升压，电流通过二极管释放到 VOUT 端。释放出的电流累积到输出.
ME2170封装信息：
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