CS5230概述：
CS5230E是一款采用CMOS工艺,电容式升压型GF类单声道音频功放,可以为4Ω的负载提供最高5W的连续功率；
CS5230E芯片内部固定的28倍增益,有效的减少了外围元器件的 数量;功放集成了D类和AB类两种工作模式即可保证D类模式下强劲的功率输出,又可兼顾系统在有FM的情况下,消除功放对系统的干扰；
CS5230E具有独特的防破音(NCN)功 能,可根据输出信号的大小自动调整功放的增益，实现更加舒适的听觉感受,CS5230E还具备电源自适应能力,当电源电压低的时候,功放会自动降低增益,从而减少功放的输出功率.
CS5230E的外围只有低成本的阻容器件,在以锂电池供电的移动式音频设备中,CS5230E是理想的音频子系统的功放解决方案.CS5230E的全差分架构和极高的PSRR有 效地提高了CS5230E对RF噪声的抑制 能力。
另外CS5230E内置了过流保护,短路保护和过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。
CS5230提供了ESOP10的封装类型,其额定的工作温度 范围为-40℃至85℃。
CS5230E芯片内部固定的28倍增益,有效的减少了外围元器件的 数量;功放集成了D类和AB类两种工作模式即可保证D类模式下强劲的功率输出,又可兼顾系统在有FM的情况下,消除功放对系统的干扰；
CS5230E具有独特的防破音(NCN)功 能,可根据输出信号的大小自动调整功放的增益，实现更加舒适的听觉感受,CS5230E还具备电源自适应能力,当电源电压低的时候,功放会自动降低增益,从而减少功放的输出功率.
CS5230E的外围只有低成本的阻容器件,在以锂电池供电的移动式音频设备中,CS5230E是理想的音频子系统的功放解决方案.CS5230E的全差分架构和极高的PSRR有 效地提高了CS5230E对RF噪声的抑制 能力。
另外CS5230E内置了过流保护,短路保护和过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。
CS5230提供了ESOP10的封装类型,其额定的工作温度 范围为-40℃至85℃。
CS5230特性：
集成Charge Pump升压�？�,集成AB类D类两种工作模式GF类音频功放
先进的电源自适应功能,
输出功率
Po at VBAT = 5.0V, RL=4Ω+33uH
THD+N=10% 5.2W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1% 4.3W(NCN OFF@D MODE)
Po at VBAT = 4.2V, RL=4Ω+33uH
THD+N=10% 4.8W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1% 4.1W(NCN OFF@D MODE)
Po at VBAT = 3.6V, RL=4Ω+33uH
THD+N=10% 3.45W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1% 3.00W(NCN OFF@D MODE)
输入电压范围:2.7~5.5V
关断电流: <1μA
待机电流: 3mA
D类调制频率: 300KHz
防破音模式开关
AERC专利技术,提供优异的全带宽EMI抑制能力
优异的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)杂音抑制能力
高的电源抑制比(PSRR)：在217Hz下为-80dB
过温保护
过压保护
CS5230提供ESOP10封装
CS5230应用：
蓝牙音箱
便携式音频设备
CS5230典型应用原理图：
CS5230引脚分布：
CS5230典型应用原理图：
CS5230引脚分布：
CS5230引脚定义：
CS5230原理框图：
CS5230封装图:
CS5230原理框图：
CS5230封装图:
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