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    双N-MOS

    CST8810B TSSOP8

        CST8810B是BVDSS=20V,RDSON=13.5mΩ,ID=7A的双N-Ch快速切换Mosfet。提供TSSOP8封装。
        CST8810B是具有强大ESD保护的低RDSON沟槽N-CH Mosfet。该产品适用于锂离子电池组应用。
        CST8810B符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。
      CST8810B 描述:
          CST8810B是BVDSS=20V,RDSON=13.5mΩ,ID=7A的双N-Ch快速切换Mosfet。提供TSSOP8封装。
          CST8810B是具有强大ESD保护的低RDSON沟槽N-CH Mosfet。该产品适用于锂离子电池组应用。
          CST8810B符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。

      CST8810B 特点:
      绿色设备可用
      超低栅极电荷
      出色的Cdv/dt效应下降
      先进的高细胞密度沟槽技术

      CST8810B 产品概述:
      BVDSS
      RDSON
      ID

      20V

      13.5

      7A


      CST8810B TSSOP8 引脚配置:
      CST8810B 测试电路:


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