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    单N-MOS

    HYG090N06LS1C2 PDFN5*6-8L

        HYG090N06LS1C2是N沟道增强型功率MOSFET
        HYG090N06LS1C2是60V/60AR的N沟MOSFET，RDS(ON)= 7.7 mΩ(typ.)@VGS = 10V 、RDS(ON)= 11.8 mΩ(typ.)@VGS = 4.5V   
        HYG090N06LS1C2丝印G090N06， 
        HYG090N06LS1C2提供PDFN5*6-8L封装。
      HYG090N06LS1C2概述：
          HYG090N06LS1C2是N沟道增强型功率MOSFET，HYG090N06LS1C2是60V/60AR的N沟MOSFET，RDS(ON)= 7.7 mΩ(typ.)@VGS = 10V 、RDS(ON)= 11.8 mΩ(typ.)@VGS = 4.5V/HYG090N06LS1C2丝印G090N06，
          HYG090N06LS1C2提供PDFN5*6-8L封装。

      HYG090N06LS1C2特性：
      60V/60A
          R DS(ON) = 7.7 mΩ(typ.)@V GS = 10V
          R DS(ON) = 11.8 mΩ(typ.)@V GS = 4.5V
      100% Avalanche Tested
      Reliable and Rugged
      Halogen- Free Devices Available (RoHS Compliant)

      HYG090N06LS1C2应用：
      High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter
      Power Tool Application
      Networking DC-DC Power System

      HYG090N06LS1C2 ORDERING INFORMATION:
      HYG090N06LS1C2 ORDERING INFORMATION
      C2
      G090N06
      XYMXXXXXX      		 Package Code
      C2: PPAK5*6-8L
      Date Code
      XYMXXXXXX

      HYG090N06LS1C2典型应用电路及封装图：
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