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    单N-MOS

    HYG025N06LS1D TO-252-2

        HYG025N06LS1D是VDS=60V,ID=160A,RDS(ON)=2.6mΩ(typ.)@VGS=10V,RDS(ON)=3.8mΩ(typ.)@VGS=4.5V的N沟道MOSFET.
        HYG025N06LS1D的丝印是D     G025N06 XYMXXXXXX.
        HYG025N06LS1D提供TO-252-2L封装.
      HYG025N06LS1D概述：
          HYG025N06LS1D是      VDS=60V,ID=160A,RDS(ON)=2.6mΩ(typ.)@VGS=10V,RDS(ON)=3.8mΩ(typ.)@VGS=4.5V的N沟道MOSFET.
          HYG025N06LS1D的丝印是D G025N06 XYMXXXXXX.
          HYG025N06LS1D提供TO-252-2L封装.

      HYG025N06LS1D特性：
      VDS=60V,ID=160A
      RDS(ON)=2.6mΩ(typ.)@VGS=10V
      RDS(ON)=3.8mΩ(typ.)@VGS=4.5V
      100% Avalanche Tested
      Reliable and Rugged
      Halogen- Free Devices Available (RoHS Compliant)

      HYG025N06LS1D应用：
      High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter
      Power Tool Application
      Networking DC-DC Power System

      HYG025N06LS1D应用电路及封装图：

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