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单N-MOS

PE8810C TSSOP8

    PE8810C是VDS=18V，ID=8.5A，RDS(ON)<13.5m? @VGS=4.5V，RDS(ON)<15m? @VGS=3.8V，RDS(ON)<16.5m? @VGS=3.1V，RDS(ON)<18m? @VGS=2.5V的N沟道MOSFET。
    PE8810C的丝印是PE8810C，PE8810C提供TSSOP-8封装。
    The PE8810C uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected.
    PE8810C概述：
        PE8810C是VDS=18V，ID=8.5A，RDS(ON)<13.5m? @VGS=4.5V，RDS(ON)<15m? @VGS=3.8V，RDS(ON)<16.5m? @VGS=3.1V，RDS(ON)<18m? @VGS=2.5V的N沟道MOSFET。PE8810C的丝印是PE8810C，PE8810C提供TSSOP-8封装。
        The PE8810C uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected.

    PE8810C特性：
    VDS = 18V, ID = 8.5A
    RDS(ON) < 13.5m?  @ VGS=4.5V
    RDS(ON) < 15m?  @VGS=3.8V
    RDS(ON) < 16.5m?  @VGS=3.1V
    RDS(ON) < 18m?  @VGS=2.5V
    ESD Rating: 4000V HBM
    High Power and current handing capability
    Lead free product is acquired
    Surface Mount Package

    PE8810C应用：
    PWM applications
    Load switch

    PE8810C典型应用及引脚：
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