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单N-MOS

PE8806B SOT23-6L

    PE8806B是VDS=18V,ID=6A,RDS(ON)<15m? @VGS=4.5V,RDS(ON)<17m? @VGS=3.8V,RDS(ON)<22m? @VGS=2.5V的N沟道MOSFET。
    PE8806B的丝印是8806B,PE8806B提供SOT-23-6L封装。
    The PE8806B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
    PE8806B概述:
        PE8806B是VDS=18V,ID=6A,RDS(ON)<15m? @VGS=4.5V,RDS(ON)<17m? @VGS=3.8V,RDS(ON)<22m? @VGS=2.5V的N沟道MOSFET。
        PE8806B的丝印是8806B,PE8806B提供SOT-23-6L封装。
        The PE8806B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

    PE8806B特性:
    VDS = 18V, ID = 6A
    RDS(ON) < 15m?  @ VGS=4.5V
    RDS(ON) < 17m?  @VGS=3.8V
    RDS(ON) < 22m?  @VGS=2.5V
    High Power and current handing capability
    Lead free product is acquired
    Surface Mount Package

    PE8806B应用:
    Battery Protection
    Load switch
    Power management

    PE8806B典型应用及引脚:

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