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    单P-MOS

    MXN3349 DFN3x3

        MXN3349是VDS=-30V, ID=-50A,RDS(ON)(Typ.)=5.8mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)(Typ.)=8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强模式功率Mosfet。提供DFN3x3封装。
        MXN3349使用先进的沟槽技术,该技术经过专门定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
      MXN3349 描述:
          MXN3349是VDS=-30V, ID=-50A,RDS(ON)(Typ.)=5.8mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)(Typ.)=8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强模式功率Mosfet。提供DFN3x3封装。
          MXN3349使用先进的沟槽技术,该技术经过专门定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。

      MXN3349 一般特性:
      VDS=-30V, ID=-50A
      RDS(ON)(Typ.)=5.8mΩ@VGS=-10V
      RDS(ON)(Typ.)=8mΩ@VGS=-4.5V
      先进的高单元密度沟槽技术
      低栅极电荷
      100%EAS保证
      绿色设备可用

      MXN3349 应用:
      电源管理开关
      电池保护应用

      MXN3349 引脚:

      MXN3349 订购信息:
      型号
      存储温度
      封装
      卷盘

      MXN3349

      -55°C to 150°C

      DFN3x3

      5000

      MXN3349 测试电路:



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