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    CLASS AB/D可切换功放

    LTK5129

      LTK5129 是一款5.5W、单声道AB类/D类工作模式切换功能、超低EMI、无需滤波器的音频功率放大芯片。
      LTK5129工作电压2.5V-5.5V。
      LTK5129采用独有的DRC(Dynamic range control)技术,降低了大功率输出时,由于波形切顶带来的失真,相比同类产品,动态反应更加出色。
      LTK5129采用ESOP-8封装。
      LTK5129概述:
        LTK5129 是一款5.5W、单声道AB类/D类工作模式切换功能、超低EMI、无需滤波器的音频功率放大芯片。
        LTK5129通过一个MODE管脚可以方便地切换为AB类模式,完全消除EMI干扰。工作电压2.5V-5.5V,在D类放大器模式下可以提供高于90%的效率,新型的无滤波器结构可以省去传统D类放大器的输低通滤波器,从而节省了系统成本和PCB空间,是便携式应用的理想选择。
        LTK5129采用独有的DRC(Dynamic range control)技术,降低了大功率输出时,由于波形切顶带来的失真,相比同类产品,动态反应更加出色。
        LTK5129采用ESOP-8封装。


      LTK5129特点:
      无滤波的 D 类/AB 类放大器、低静态电流和低 EMI
      FM 模式无干扰
      优异的爆破声抑制电路
      低底噪、低失真
      DRC 动态失真矫正电路
      10% THD+N,VDD=5V,4Ω 负载下,提供高达 3.3W 的输出功率
      10% THD+N,VDD=5V,2Ω 负载下,提供高达 5.5W 的输出功率
      短路电流保护
      欠压保护
      关断电流 < 0.5uA
      LTK5129多种功率封装模式: ESOP-8
      过热保护


      LTK5129应用:
      蓝牙音箱
      拉杆音箱
      USB 音响
      视频机
      扩音器等


      LTK5129典型应用电路:


      LTK5129功放电路管脚图:


      LTK5129
      管脚功能描述:



      LTK5129原理框图:


      LTK5129 最大额定值(TA=25℃)
      参数名称 符号 数值 单位
      工作电压 Vcc 6.0 V
      存储温度 Tstg -65℃-150℃
      输入电压 -0.3 to +(0.3+ Vcc) V
      功率消耗 PD 见附注1 W
      结温度 160℃
      附注1:最大功耗取决于三个因素:TJMAX,TA,θJA,它的计算公式PDMAX=(TJMAX-TA)/θJA,LTK5129的TJMA=150℃。TA为外部环境的温度,θJA取决于不同的封装形式。


      LTK5129 电气参数


      LTK5129 CLASS D 模式:


      1)静态电气参数
      MODE=VDD, ClassD 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
      信号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
      VDD 电源电压 2.5 5 5.5 V
      IDD 静态电源电流 MODE=VDD;VDD=5V,IO=0A 2 5 8 mA
      ISHDN 关断电流 VDD=2.5V 到 5.5V 1 uA
      FSW 振荡频率 VDD=2.5V 到 5.5V 480 kHz
      Vos 输出失调电压 VDD=5V,VIN=0V 10 mV
      η 效率   THD+N=10%, f=1kHz,RL=2Ω; 87 %
      THD+N=10%, f=1kHz,RL=4Ω; 90
      OTP 过温保护 155
      RDSON 静态导通电阻 IDS=0.5A  VGS=5V P_MOSFET 180
      N_MOSFET 140
       
      2)动态电气参数
       MODE=VDD, ClassD 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
      信号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
       
       
      Po
       
       
       
      输出功率
      THD+N=10%, f=1kHz
      RL=4Ω;
      VDD=5V 3.3  
      W
      VDD=3.6V 2.4
      VDD=3V 1.8
      THD+N=1%, f=1kHz
      RL=4Ω;
      VDD=5V 2.6  
      W
      VDD=3.6V 1.8
      VDD=3V 1.2
      THD+N=10%, f=1kHz
      RL=2Ω;
      VDD=5V 5.4 5.5  
      W
      VDD=3.6V 3.3 3.5
      VDD=3V 2.4 2.6
      THD+N=1%, f=1kHz
      RL=2Ω;
      VDD=5V 4.8 4.9  
      W
      VDD=3.6V 2.9 3
      VDD=3V 1.4 1.5
      THD+N 总谐波失真加噪声 VDD=5V Po=0.6W, RL=8Ω f=1kHz 0.12  
      %
      VDD=3.6V Po=0.6W, RL=8Ω 0.1
      VDD=5V Po=1W,RL=4Ω f=1kHz 0.12
      VDD=3.6V Po=1W, RL=4Ω 0.1
      PSRR 电源电压抑制比 VDD=5V, VRIPPLE=200mVRMS,
      RL=8Ω, CB=2.2µF
      64 dB
      SNR 信噪比 VDD=5V, Vorms=1V, Gv=20dB 85 dB
       
      LTK5129 CLASS AB 模式(ESOP-8封装)

      1)静态电气参数
      MODE=GND, ClassAB 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
      信号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
      VDD 电源电压 2.5 5 5.5 V
      IDD 静态电源电流 VDD=5V,IO=0A 6 10 14 mA
      ISHDN 关断电流 VDD=2.5V 到 5.5V 1 uA
      Vos 输出失调电压 VDD=5V,VIN=0V 10 mV
      OTP 过温保护 155
         
       
      2)动态电气参数
       MODE=GND, ClassAB 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
      信号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
       
       
      Po
       
       
       
      输出功率
      THD+N=10%, f=1kHz
      RL=4Ω;
      VDD=5V 3.3  
      W
      VDD=3.6V 2.4
      VDD=3V 1.8
      THD+N=1%, f=1kHz
      RL=4Ω;
      VDD=5V 2.6  
      W
      VDD=3.6V 1.8
      VDD=3V 1.2
      THD+N=10%, f=1kHz
      RL=2Ω;
      VDD=5V 5.4 5.5  
      W
      VDD=3.6V 3.3 3.5
      VDD=3V 2.4 2.6
      THD+N=1%, f=1kHz
      RL=2Ω;
      VDD=5V 4.8 4.9  
      W
      VDD=3.6V 2.9 3
      VDD=3V 1.4 1.5
      THD+N 总谐波失真加噪声 VDD=5V Po=0.6W, RL=8Ω f=1kHz 0.18  
      %
      VDD=3.6V Po=0.6W, RL=8Ω 0.15
      VDD=5V Po=1W,RL=4Ω f=1kHz 0.15
      VDD=3.6V Po=1W, RL=4Ω 0.12
      PSRR 电源电压抑制比 VDD=5V, VRIPPLE=200mVRMS,
      RL=8Ω, CB=2.2µF
      69 dB
      SNR 信噪比 VDD=5V, Vorms=1V, Gv=20dB 82 dB
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